IRFR3710ZTRPBF vs IRF540ZPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3710ZTRPBF tarafından Infineon ve IRF540ZPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR3710ZTRPBF IRF540ZPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS)
Paket TO-252AA (DPAK) TO-220AB (through-hole, 3-lead)
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF540ZPBF
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 36 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 26.5 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 42 nC
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C — 92 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualified — Yes (per datasheet description)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin