IRFR3710ZTRPBF vs IRF540ZPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR3710ZTRPBF מאת Infineon ו IRF540ZPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR3710ZTRPBF | IRF540ZPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) |
| מארז | TO-252AA (DPAK) | TO-220AB (through-hole, 3-lead) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF540ZPBF |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C | — | 36 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 26.5 mOhm |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 42 nC |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25C | — | 92 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| טווח טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| מספר פינים | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per datasheet description) |