IRFR5505TRLPBF vs IRF9Z34NPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR5505TRLPBF بواسطة Infineon و IRF9Z34NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR5505TRLPBF | IRF9Z34NPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) | -55 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -18 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 110 mOhm (VGS = -10 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21.3 nC | — |
| Power Dissipation (PD) | 57 W (Tc = 25 °C) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (junction) |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | [DATA_NEEDED: RθJC] | — |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) | HEXFET (5th generation) |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | -19 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | -72 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 68 W |
| On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V | — | 100 milliohm (typical) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] |
| Gate Charge (Qg) | — | 23.3 nC (per Mouser listing) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Pinout (G-D-S) | — | Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| حالة RoHS | — | Compliant |