IRLB4132PBF vs IRLB4030PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLB4132PBF بواسطة Infineon و IRLB4030PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLB4132PBF IRLB4030PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET (HEXFET) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 78 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 140 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 3.5 mOhm (typical) —
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) 1.0 V to 2.5 V —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C -55C to +175C
العلبة / الحالة TO-220AB (through-hole, 3 leads) —
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free PBF suffix) —
AEC-Q101 Automotive Qualification Not qualified (industrial/commercial) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 87 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
العلبة — TO-220AB
Technology — HEXFET (StrongIRFET family)
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر