IRLML2030TRPBF vs IRLML6246TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLML2030TRPBF بواسطة Infineon و IRLML6246TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IRLML2030TRPBF IRLML6246TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRLML2030TRPBF IRLML6246TRPBF
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 1.3 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 100 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 154 mOhm 46 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Charge (Qg) typ 1.0 nC —
العلبة Micro3 (SOT-23) SOT-23 (Micro3)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
مستوى MSL MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance Yes (lead-free, halogen-free) Yes (Pb-free)
Qualification JEDEC standard —
Soldering Wave-solder compatible —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر