IRLU024NPBF vs IRF4905PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLU024NPBF بواسطة Infineon و IRF4905PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLU024NPBF IRF4905PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLU024NPBF —
FET Type N-Channel, Logic-Level P-Channel
Technology HEXFET Power MOSFET (5th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 65 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical, per listing) 120 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 3.3 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 110 C/W (50 C/W PCB-mounted) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة IPAK (TO-251AA), Through Hole TO-220AB (through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free plating) Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Qualification JEDEC standard —
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -74 A
Power Dissipation (PD) at TC — 200 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C (junction)
Pin Configuration — Gate - Drain - Source (left to right)
مستوى MSL — 1 (not moisture-sensitive for TO-220)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر