IRLU024NPBF vs IRF4905PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLU024NPBF מאת Infineon ו IRF4905PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLU024NPBF IRF4905PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLU024NPBF —
FET Type N-Channel, Logic-Level P-Channel
Technology HEXFET Power MOSFET (5th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 65 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical, per listing) 120 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 3.3 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 110 C/W (50 C/W PCB-mounted) —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז IPAK (TO-251AA), Through Hole TO-220AB (through-hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free plating) Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Qualification JEDEC standard —
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -74 A
Power Dissipation (PD) at TC — 200 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +175 °C (junction)
Pin Configuration — Gate - Drain - Source (left to right)
רמת MSL — 1 (not moisture-sensitive for TO-220)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר