IRLU024NPBF vs IRF4905PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLU024NPBF توسط Infineon و IRF4905PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLU024NPBF IRF4905PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLU024NPBF —
FET Type N-Channel, Logic-Level P-Channel
Technology HEXFET Power MOSFET (5th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 65 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical, per listing) 120 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 3.3 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 110 C/W (50 C/W PCB-mounted) —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی IPAK (TO-251AA), Through Hole TO-220AB (through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free plating) Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Qualification JEDEC standard —
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -74 A
Power Dissipation (PD) at TC — 200 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
محدوده دمای کاری — -55 °C to +175 °C (junction)
Pin Configuration — Gate - Drain - Source (left to right)
سطح MSL — 1 (not moisture-sensitive for TO-220)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت