IRLZ34NPBF vs IRLZ34NSTRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLZ34NPBF بواسطة Infineon و IRLZ34NSTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLZ34NPBF IRLZ34NSTRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number Suffix PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging —
نوع الترانزستور N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 110 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V 35 mOhm —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC (typical) 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 68 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab) D2PAK (TO-263), surface mount
نوع التركيب Through Hole Surface Mount
حالة RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Pb-free)
مستوى MSL Not applicable (through-hole) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
RDS(on) at VGS=5V — 35 mOhm (typical)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V drive compatible)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Power Dissipation (Tc) — 68 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single with built-in diode
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Cell Structure — HEXFET planar (5th generation)
Qualification — JEDEC standard

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر