IRLZ34NPBF vs IRLZ34NSTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLZ34NPBF מאת Infineon ו IRLZ34NSTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLZ34NPBF IRLZ34NSTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number Suffix PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging —
סוג טרנזיסטור N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 110 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V 35 mOhm —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC (typical) 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 68 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +175 C —
מארז TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab) D2PAK (TO-263), surface mount
סוג הרכבה Through Hole Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Pb-free)
רמת MSL Not applicable (through-hole) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
RDS(on) at VGS=5V — 35 mOhm (typical)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V drive compatible)
Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Power Dissipation (Tc) — 68 W
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single with built-in diode
Switching Frequency Optimization — Below 100 kHz
Cell Structure — HEXFET planar (5th generation)
Qualification — JEDEC standard

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר