IRS2004STRPBF vs IRS2104STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2004STRPBF بواسطة Infineon و IRS2104STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2004STRPBF IRS2104STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
البنية الطوبولوجية Half-Bridge Gate Driver Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Channels 1 high-side + 1 low-side (dependent) —
Offset Voltage (Voffset max) 200 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 3.3 V to 20 V (logic compatible) —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL Standard CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Shutdown Input Yes (active) —
Undervoltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Operation Yes (external diode required) —
العلبة SOIC-8 8-Lead SOIC (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
حالة RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (PbF suffix)
مستوى MSL MSL2 2 (1 year floor life per datasheet)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 150 ns
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40C to +150C
Qualification Level — Industrial

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر