IRS2104STRPBF vs IR2011STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2104STRPBF بواسطة Infineon و IR2011STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2104STRPBF IR2011STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
البنية الطوبولوجية Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 150 ns 80 ns
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL 3.0 V CMOS or LSTTL
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40C to +150C —
العلبة 8-Lead SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 (1 year floor life per datasheet) —
Qualification Level Industrial —
حالة RoHS Compliant (PbF suffix) —
Configuration — High-Side and Low-Side (Independent)
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر