IRS2153DSTRPBF vs IRS2453DSTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2153DSTRPBF بواسطة Infineon و IRS2453DSTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2153DSTRPBF IRS2453DSTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
البنية الطوبولوجية Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer RC, CMOS 555-style front-end
Programmable Shutdown Pin Yes —
العلبة 8-pin SOIC 14-SOIC (0.154", 3.90 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS HVIC and latch-immune CMOS
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free per suffix "PBF")
Lead-Free Yes —
الوظيفة — Full-bridge gate driver IC with integrated oscillator
Driver Configuration — High-side and low-side (full-bridge)
Number of Drivers — 4 (HO, LO outputs for two half-bridge legs)
Gate Drive Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC operating range]
Input Voltage (VB offset) — 600 V (high-side offset rating)
Source Current (typ.) — 0.18 A
Sink Current (typ.) — 0.26 A
Bootstrap FET — Integrated
Shutdown Pin — Yes
Input Circuit — RC Input Circuit
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر