IRS2153DSTRPBF vs IRS2453DSTRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2153DSTRPBF מאת Infineon ו IRS2453DSTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2153DSTRPBF IRS2453DSTRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
טופולוגיה Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer RC, CMOS 555-style front-end
Programmable Shutdown Pin Yes —
מארז 8-pin SOIC 14-SOIC (0.154", 3.90 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS HVIC and latch-immune CMOS
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Pb-free per suffix "PBF")
Lead-Free Yes —
פונקציה — Full-bridge gate driver IC with integrated oscillator
Driver Configuration — High-side and low-side (full-bridge)
Number of Drivers — 4 (HO, LO outputs for two half-bridge legs)
Gate Drive Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC operating range]
Input Voltage (VB offset) — 600 V (high-side offset rating)
Source Current (typ.) — 0.18 A
Sink Current (typ.) — 0.26 A
Bootstrap FET — Integrated
Shutdown Pin — Yes
Input Circuit — RC Input Circuit
טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר