IRS2302STRPBF vs IRS2011STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2302STRPBF بواسطة Infineon و IRS2011STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2302STRPBF IRS2011STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge (High and Low Side, Independent) —
Number of Drivers 2 —
Supply Voltage (VCC) 5 V to 20 V 10 V to 20 V
Offset Voltage (High-Side) Up to +600 V —
Source Current (typ.) 0.2 A —
Sink Current (typ.) 0.35 A —
زمن الصعود 130 ns (typ.) —
زمن السقوط 50 ns (typ.) —
Propagation Delay 220 ns (typ.) —
Turn-On Delay [DATA_NEEDED: exact turn-on delay] —
Turn-Off Delay [DATA_NEEDED: exact turn-off delay] —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Input Type Non-Inverting —
Shutdown Pin Yes —
UVLO Yes (VCC and VBS) —
Cross-Conduction Protection Yes (built-in dead time) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 C to +125 C
العلبة 8-SOIC (3.90 mm body) 8-SOIC (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) —
خالٍ من الهالوجين Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
الوظيفة — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — High-Side and Low-Side, Independent Channels
عدد المخارج — 2
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر