IRS2302STRPBF vs IRS2011STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2302STRPBF por Infineon y IRS2011STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2302STRPBF IRS2011STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,54 $1,55
Driver Configuration Half-Bridge (High and Low Side, Independent) —
Number of Drivers 2 —
Supply Voltage (VCC) 5 V to 20 V 10 V to 20 V
Offset Voltage (High-Side) Up to +600 V —
Source Current (typ.) 0.2 A —
Sink Current (typ.) 0.35 A —
Tiempo de subida 130 ns (typ.) —
Tiempo de bajada 50 ns (typ.) —
Propagation Delay 220 ns (typ.) —
Turn-On Delay [DATA_NEEDED: exact turn-on delay] —
Turn-Off Delay [DATA_NEEDED: exact turn-off delay] —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Input Type Non-Inverting —
Shutdown Pin Yes —
UVLO Yes (VCC and VBS) —
Cross-Conduction Protection Yes (built-in dead time) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm body) 8-SOIC (DSO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) —
Sin halógenos Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Función — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — High-Side and Low-Side, Independent Channels
Número de salidas — 2
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

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