IRS2453DSTRPBF vs IRS2153DSTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2453DSTRPBF بواسطة Infineon و IRS2153DSTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2453DSTRPBF IRS2153DSTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Full-bridge gate driver IC with integrated oscillator —
Driver Configuration High-side and low-side (full-bridge) —
Number of Drivers 4 (HO, LO outputs for two half-bridge legs) —
Gate Drive Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC operating range] —
Input Voltage (VB offset) 600 V (high-side offset rating) —
Source Current (typ.) 0.18 A —
Sink Current (typ.) 0.26 A —
Oscillator Type RC, CMOS 555-style front-end RC-based, similar to CMOS 555 timer
Bootstrap FET Integrated —
Shutdown Pin Yes —
Input Circuit RC Input Circuit —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
العلبة 14-SOIC (0.154", 3.90 mm) 8-pin SOIC
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant (Pb-free per suffix "PBF") Compliant
Technology HVIC and latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
البنية الطوبولوجية — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Programmable Shutdown Pin — Yes
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر