IRS2453DSTRPBF vs IRS2153DSTRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2453DSTRPBF מאת Infineon ו IRS2153DSTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2453DSTRPBF IRS2153DSTRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Full-bridge gate driver IC with integrated oscillator —
Driver Configuration High-side and low-side (full-bridge) —
Number of Drivers 4 (HO, LO outputs for two half-bridge legs) —
Gate Drive Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC operating range] —
Input Voltage (VB offset) 600 V (high-side offset rating) —
Source Current (typ.) 0.18 A —
Sink Current (typ.) 0.26 A —
Oscillator Type RC, CMOS 555-style front-end RC-based, similar to CMOS 555 timer
Bootstrap FET Integrated —
Shutdown Pin Yes —
Input Circuit RC Input Circuit —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
מארז 14-SOIC (0.154", 3.90 mm) 8-pin SOIC
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free per suffix "PBF") Compliant
Technology HVIC and latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
טופולוגיה — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Programmable Shutdown Pin — Yes
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר