ISC009N06LM5ATMA1 vs IPT067N20NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC009N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon و IPT067N20NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC009N06LM5ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 6 silicon
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 41 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 348 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation at Ta (PD) 3 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 214 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C -55C to +150C (junction)
العلبة PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 137 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) typ — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Lead-Free — Yes
Configuration — Single N-channel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر