ISC009N06NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC009N06NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC151N08NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC009N06NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 60 V | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C | 344 A | — |
| Power Dissition (PD) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 221 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8 FL |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| AEC-Q101 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| عدد الدبابيس | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C |