ISC009N06NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC009N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC151N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC009N06NM6ATMA1 ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC009N06NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 60 V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C 344 A —
Power Dissition (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 221 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8 FL
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Technology — OptiMOS 6
پنز کی تعداد — 8
Channel Mode — Enhancement
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں