ISC011N03L5SATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC011N03L5SATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N04NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC011N03L5SATMA1 | ISC015N04NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | OptiMOS 5 40V Normal Level |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per Infineon SuperSO8 family) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.4 V (typ) |
| R_DS(on) max | — | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 206 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 115 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) |
| العلبة / الحالة | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| Drive Level | — | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) |