ISC011N03L5SATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC011N03L5SATMA1 द्वारा Infineon और ISC015N04NM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC011N03L5SATMA1 | ISC015N04NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | OptiMOS 5 40V Normal Level |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per Infineon SuperSO8 family) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.4 V (typ) |
| R_DS(on) max | — | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 206 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 115 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| पिन काउंट | — | 8 |
| Drive Level | — | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) |