ISC011N03L5SATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC011N03L5SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC015N04NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC011N03L5SATMA1 | ISC015N04NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | OptiMOS 5 40V Normal Level |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per Infineon SuperSO8 family) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.4 V (typ) |
| R_DS(on) max | — | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 206 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 115 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| Drive Level | — | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) |