ISC011N06LM5ATMA1 vs IPLU300N04S41R1XTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC011N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon و IPLU300N04S41R1XTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC011N06LM5ATMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1
Technology OptiMOS 5 OptiMOS (Trench MOSFET)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
العلبة PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 300 A
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 300 W
R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) — 1.15 mΩ
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 151 nC
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) — 12,090 pF
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) — ±20 V
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — 175 °C
Peak Reflow Temperature (AEC-Q) — 260 °C
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
RoHS Compliance — Yes (Green Product)
Lead-Free — Yes (100% lead-free)
Configuration — Single with built-in diode
Packing — Tape & Reel (TR)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر