ISC015N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC015N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و ISC028N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC015N03LF2SATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench) | OptiMOS 5 30V |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 43 A | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 214 A | 128 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.5 mΩ | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 125 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |