ISC015N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC015N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC028N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC015N03LF2SATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench) | OptiMOS 5 30V |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 43 A | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 214 A | 128 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.5 mΩ | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 125 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |