ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC015N06NM5LF2ATMA1 بواسطة Infineon و IQE012N03LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | ISC015N06NM5LF2ATMA1 | IQE012N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 217 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.55 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.3 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V | 2 V (typ, per Merlin listing) |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 1.3 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.9 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1.3 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 55 pF | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 34 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | — | 224 A |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.15 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |