ISC017N04NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC017N04NM5ATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N06NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC017N04NM5ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 31 A | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 193 A | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A | 1.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | 3.4 V | — |
| Gate Charge Qg at VGS=10V | 67 nC | — |
| Input Capacitance Ciss at VDS=20V | 4800 pF | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 115 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |