ISC017N04NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC017N04NM5ATMA1 द्वारा Infineon और ISC015N06NM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC017N04NM5ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 31 A | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 193 A | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A | 1.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | 3.4 V | — |
| Gate Charge Qg at VGS=10V | 67 nC | — |
| Input Capacitance Ciss at VDS=20V | 4800 pF | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 115 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |