ISC040N10NM7ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC040N10NM7ATMA1 بواسطة Infineon و ISC037N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC040N10NM7ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 130 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 150 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
RDS(on) @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
العلبة PG-TDSON-8-34 (SSO8) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (TJ max) -55C to +175C (junction)
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology — OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر