ISC045N03L5SATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC045N03L5SATMA1 بواسطة Infineon و BSZ0901NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC045N03L5SATMA1 BSZ0901NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC045N03L5SATMA1 BSZ0901NSIATMA1
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench OptiMOS trench N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
العلبة SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (typical MOSFET range)
حالة RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 69 W
عدد الأطراف — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V]
Packaging — Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر