ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC078N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC151N08NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC078N12NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 7.8 mΩ | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| العلبة | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8 FL |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | — |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| عدد الدبابيس | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C |