ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC078N12NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC151N08NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC078N12NM6ATMA1 - 120V 85A N-Ch MOSFET 7.8mΩ SuperSO8 | Infineon
ISC078N12NM6ATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC078N12NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 7.8 mΩ | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Hộp | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8 FL |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (junction) | — |
| Số chân | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Trực流连续电流 (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Số lượng chân | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |