ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC151N08NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC120N04S6N010ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC151N08NM6ATMA1 | IAUC120N04S6N010ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 150 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 150 W |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.0 mΩ |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | — | 1.03 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | — | 3 V (at 90 µA) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V VGS for full RDS(on) spec |
| Polarity | — | Single N-channel |