ISZ019N03L5SATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ019N03L5SATMA1 بواسطة Infineon و IQE012N03LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 - 30V 1.9mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISZ019N03L5SATMA1 | IQE012N03LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 (<= 40V) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 22 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 1.9 mΩ (typical, ID=20A) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | 2 V (typ, per Merlin listing) |
| Gate-Source Voltage Rating (VGS) | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44 nC at VGS=10V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2800 pF at VDS=15V | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (TJ max) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) |
| RoHS / REACH | Compliant | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| RG-tested | 100% | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | — | 34 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | — | 224 A |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | — | 1.15 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |