ISZ019N03L5SATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ019N03L5SATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE012N03LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ019N03L5SATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) 2 V (typ, per Merlin listing)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V —
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (TJ max) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited)
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) @ Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc — 224 A
Maximum RDS(on) @ VGS=10V — 1.15 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں