ISZ019N03L5SATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ019N03L5SATMA1 tarafından Infineon ve IQE012N03LM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ019N03L5SATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) 2 V (typ, per Merlin listing)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V —
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
Paket PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (TJ max) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited)
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) @ Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc — 224 A
Maximum RDS(on) @ VGS=10V — 1.15 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin