ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ028N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و ISC045N03L5SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISZ028N03LF2SATMA1 ISC045N03L5SATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) OptiMOS 5 / Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
العلبة PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction, typical) -55 °C to +150 °C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] 13 nC @ VGS=10 V
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر