ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISZ028N03LF2SATMA1 توسط Infineon و ISC045N03L5SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
ISC045N03L5SATMA1 ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

ISC045N03L5SATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ISZ028N03LF2SATMA1 ISC045N03L5SATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) OptiMOS 5 / Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +175C (junction, typical) -55 °C to +150 °C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] 13 nC @ VGS=10 V
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت