ISZ033N03LF2SATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ033N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و BSC0921NDIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISZ033N03LF2SATMA1 | BSC0921NDIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 31 A (per channel, package-limited) |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 25V (N-channel) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 17 A (per channel) |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 1 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) |
| Output Charge (Qoss) | — | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| مستوى MSL | — | 1 (per Infineon OptiMOS family) |
| Primary Application | — | Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators |