ISZ033N03LF2SATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ033N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve BSC0921NDIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ033N03LF2SATMA1 BSC0921NDIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 31 A (per channel, package-limited)
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 25V (N-channel)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
MSL Seviyesi — 1 (per Infineon OptiMOS family)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin