ITS716GFUMA1 vs BTS5215LAUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ITS716GFUMA1 بواسطة Infineon و BTS5215LAUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ITS716GFUMA1 BTS5215LAUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Number of Channels 4 2
تكوين الخرج High-side (N-Channel MOSFET) —
Continuous Current per Channel 2.3 A —
On-State Resistance (RON) per Channel [DATA_NEEDED: Ron typical value] —
Operating Voltage Range (Vbb) 5 V to 36 V —
Load Dump Tolerance Up to 45 V —
Standby Current [DATA_NEEDED: Iq standby typical] Very low (datasheet value [DATA_NEEDED: standby current uA])
Input Logic Levels CMOS/TTL compatible, parallel interface —
Diagnostic Output Open-drain fault flag, one per channel —
Protection Features Overload, short-circuit, over-temperature, over-voltage, ESD Overcurrent, overtemperature, overvoltage, short-circuit, undervoltage
PWM Capability Up to 1 kHz —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +85 C (industrial grade) —
العلبة PG-DSO-20-32 (20-pin SOIC, exposed pad) PG-DSO-12-9
المقاومة الحرارية، من الوصلة إلى المحيط [DATA_NEEDED: theta_JA value] —
نوع التركيب Surface Mount —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant Compliant
On-State Resistance (RDS(on)) — 90 mΩ typical per channel
Continuous Output Current per Channel — 3.7 A
Operating Voltage Range — 8 V to 36 V
Input Logic Compatibility — CMOS-compatible, ground-referenced
Diagnostic Feedback — Status feedback per channel
MOSFET Technology — N-channel vertical power MOSFET with charge pump
Load Type Support — Resistive and inductive loads
Demagnetization — Fast demagnetization of inductive loads
درجة حرارة التشغيل — -40C to +150C (TJ) [DATA_NEEDED: ambient range exact]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر