ITS716GFUMA1 vs BTS5215LAUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ITS716GFUMA1 द्वारा Infineon और BTS5215LAUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
ITS716GFUMA1 ITS716GFUMA1 - 4-Ch Smart High-Side Switch 2.3A | Infineon

ITS716GFUMA1 - 4-Ch Smart High-Side Switch 2.3A | Infineon

ITS716GFUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BTS5215LAUMA1 BTS5215LAUMA1 - Dual 90mΩ Smart High-Side Switch | Infineon

BTS5215LAUMA1 - Dual 90mΩ Smart High-Side Switch | Infineon

BTS5215LAUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ITS716GFUMA1 BTS5215LAUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Number of Channels 4 2
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन High-side (N-Channel MOSFET) —
Continuous Current per Channel 2.3 A —
On-State Resistance (RON) per Channel [DATA_NEEDED: Ron typical value] —
Operating Voltage Range (Vbb) 5 V to 36 V —
Load Dump Tolerance Up to 45 V —
Standby Current [DATA_NEEDED: Iq standby typical] Very low (datasheet value [DATA_NEEDED: standby current uA])
Input Logic Levels CMOS/TTL compatible, parallel interface —
Diagnostic Output Open-drain fault flag, one per channel —
Protection Features Overload, short-circuit, over-temperature, over-voltage, ESD Overcurrent, overtemperature, overvoltage, short-circuit, undervoltage
PWM Capability Up to 1 kHz —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40 C to +85 C (industrial grade) —
पैकेज PG-DSO-20-32 (20-pin SOIC, exposed pad) PG-DSO-12-9
थर्मल रेज़िस्टेंस, जंक्शन-टू-एम्बिएंट [DATA_NEEDED: theta_JA value] —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
On-State Resistance (RDS(on)) — 90 mΩ typical per channel
Continuous Output Current per Channel — 3.7 A
Operating Voltage Range — 8 V to 36 V
Input Logic Compatibility — CMOS-compatible, ground-referenced
Diagnostic Feedback — Status feedback per channel
MOSFET Technology — N-channel vertical power MOSFET with charge pump
Load Type Support — Resistive and inductive loads
Demagnetization — Fast demagnetization of inductive loads
ऑपरेटिंग तापमान — -40C to +150C (TJ) [DATA_NEEDED: ambient range exact]

डेटाशीट और संसाधन

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