JMTG070N06A vs JMTG100N06A مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ JMTG070N06A بواسطة Jiejie Micro و JMTG100N06A بواسطة Jiejie Micro. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | JMTG070N06A | JMTG100N06A |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Jiejie Micro | Jiejie Micro |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Jiejie Micro (JJW) | Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd |
| Part Number | JMTG070N06A | — |
| Polarity / Type | N-channel Enhancement Mode | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 70 A | — |
| On-Resistance RDS(ON) | < 6 mOhm @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | Advanced Trench MOSFET | — |
| العلبة | PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads) | PDFN5x6-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 leads) |
| نوع التركيب | Surface Mount (SMD) | Surface Mount |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC) | — |
| Lead Status | Lead free / RoHS compliant | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: TJ max and operating range] | — |
| Thermal Resistance RthJA | [DATA_NEEDED: theta_JA] | — |
| Configuration | Single N-channel MOSFET | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel Power Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage V(DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current I(D) | — | 55 A (at V(GS)=10 V, T(C)=25 °C) |
| R(DS(on)) Typ @ V(GS)=10 V | — | 7.7 mΩ |
| R(DS(on)) Typ @ V(GS)=4.5 V | — | 8.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V(GS(th)) Typ | — | 1.5 V |
| Plating | — | Pb-free |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| UIS (Avalanche) Tested | — | 100 % |
| V(DS) Tested | — | 100 % |
| EAS Test Condition | — | T(J)=25 °C, V(DD)=30 V, V(G)=10 V, L=0.5 mH, R(g)=25 Ω, I(AS)=22 A |
| Primary Applications | — | Load Switch, PWM, DC-DC, Motor Drive |