K3KL2L20DM-JGCT vs K3KL7L70EM-MGCU مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3KL2L20DM-JGCT بواسطة Samsung Electronics و K3KL7L70EM-MGCU بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K3KL2L20DM-JGCT K3KL2L20DM-JGCT - 48Gb LPDDR5X 7500Mbps DRAM | Samsung

K3KL2L20DM-JGCT - 48Gb LPDDR5X 7500Mbps DRAM | Samsung

K3KL2L20DM-JGCT ✓ نشط
Samsung Electronics
K3KL7L70EM-MGCU K3KL7L70EM-MGCU - 12Gb LPDDR5X DRAM, 315-Ball FBGA | Samsung

K3KL7L70EM-MGCU - 12Gb LPDDR5X DRAM, 315-Ball FBGA | Samsung

K3KL7L70EM-MGCU ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K3KL2L20DM-JGCT K3KL7L70EM-MGCU
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 48 Gb 12 Gbit (1.5 GB)
التنظيم x64 [DATA_NEEDED: organization x32]
معدل البيانات 7500 Mbps [DATA_NEEDED: data rate Mbps/pin]
Supply Voltage (VDD1) 1.8 V —
Supply Voltage (VDD2) 1.05 V —
Supply Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Core Voltage Rail 0.9 V —
درجة حرارة التشغيل -25C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة 441-ball FBGA 315-ball FBGA
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
الواجهة LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) —
Product Status Mass Production —
Generation LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) —
Application Segment AI devices, automotive, mobile —
حالة RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Manufacturer — Samsung Electronics
Speed Grade Suffix — -MGCU
Supply Voltage VDD — [DATA_NEEDED: VDD core voltage]
Supply Voltage VDDQ — [DATA_NEEDED: VDDQ I/O voltage]
Bank Architecture — [DATA_NEEDED: bank group count]
زمن الوصول CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self-refresh and per-bank refresh per JEDEC LPDDR5X
Termination — On-Die Termination (ODT)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر