K3KL2L20DM-JGCT vs K3KL7L70EM-MGCU तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K3KL2L20DM-JGCT द्वारा Samsung Electronics और K3KL7L70EM-MGCU द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K3KL7L70EM-MGCU - 12Gb LPDDR5X DRAM, 315-Ball FBGA | Samsung
K3KL7L70EM-MGCU ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K3KL2L20DM-JGCT | K3KL7L70EM-MGCU |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 48 Gb | 12 Gbit (1.5 GB) |
| संगठन | x64 | [DATA_NEEDED: organization x32] |
| डेटा दर | 7500 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate Mbps/pin] |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Core Voltage Rail | 0.9 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| पैकेज | 441-ball FBGA | 315-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) | — |
| Product Status | Mass Production | — |
| Generation | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) | — |
| Application Segment | AI devices, automotive, mobile | — |
| RoHS स्थिति | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Speed Grade Suffix | — | -MGCU |
| Supply Voltage VDD | — | [DATA_NEEDED: VDD core voltage] |
| Supply Voltage VDDQ | — | [DATA_NEEDED: VDDQ I/O voltage] |
| Bank Architecture | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | Self-refresh and per-bank refresh per JEDEC LPDDR5X |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |