K3KL2L20DM-JGCT vs K3KL7L70EM-MGCU השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K3KL2L20DM-JGCT מאת Samsung Electronics ו K3KL7L70EM-MGCU מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K3KL7L70EM-MGCU - 12Gb LPDDR5X DRAM, 315-Ball FBGA | Samsung
K3KL7L70EM-MGCU ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K3KL2L20DM-JGCT | K3KL7L70EM-MGCU |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 48 Gb | 12 Gbit (1.5 GB) |
| ארגון | x64 | [DATA_NEEDED: organization x32] |
| קצב נתונים | 7500 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate Mbps/pin] |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Core Voltage Rail | 0.9 V | — |
| טמפרטורת פעולה | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| מארז | 441-ball FBGA | 315-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) | — |
| Product Status | Mass Production | — |
| Generation | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) | — |
| Application Segment | AI devices, automotive, mobile | — |
| סטטוס RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Speed Grade Suffix | — | -MGCU |
| Supply Voltage VDD | — | [DATA_NEEDED: VDD core voltage] |
| Supply Voltage VDDQ | — | [DATA_NEEDED: VDDQ I/O voltage] |
| Bank Architecture | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | Self-refresh and per-bank refresh per JEDEC LPDDR5X |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |