K3KL2L20DM-JGCT vs K3KL8L80CM-MGCT مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3KL2L20DM-JGCT بواسطة Samsung Electronics و K3KL8L80CM-MGCT بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K3KL2L20DM-JGCT | K3KL8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 48 Gb | 32 Gbit (4 GB) |
| التنظيم | x64 | x32 |
| معدل البيانات | 7500 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Core Voltage Rail | 0.9 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | -25C to +85C | -25C to +85C |
| العلبة | 441-ball FBGA | 315-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) |
| Product Status | Mass Production | — |
| Generation | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) | — |
| Application Segment | AI devices, automotive, mobile | Mobile, Automotive, On-device AI, PC |
| حالة RoHS | unknown | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | — | 3750 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 900 mV (500 mV low-power mode) |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Power Efficiency | — | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |