K3KL7L70EM-MGCU vs K3KL8L80CM-MGCT مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3KL7L70EM-MGCU بواسطة Samsung Electronics و K3KL8L80CM-MGCT بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K3KL7L70EM-MGCU K3KL7L70EM-MGCU - 12Gb LPDDR5X DRAM, 315-Ball FBGA | Samsung

K3KL7L70EM-MGCU - 12Gb LPDDR5X DRAM, 315-Ball FBGA | Samsung

K3KL7L70EM-MGCU ✓ نشط
Samsung Electronics
K3KL8L80CM-MGCT K3KL8L80CM-MGCT - 32Gb LPDDR5X SDRAM x32 | Samsung

K3KL8L80CM-MGCT - 32Gb LPDDR5X SDRAM x32 | Samsung

K3KL8L80CM-MGCT ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K3KL7L70EM-MGCU K3KL8L80CM-MGCT
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs DRAM
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Samsung Electronics —
نوع الذاكرة LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 12 Gbit (1.5 GB) 32 Gbit (4 GB)
العلبة 315-ball FBGA 315-ball FBGA
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Speed Grade Suffix -MGCU —
معدل البيانات [DATA_NEEDED: data rate Mbps/pin] —
Supply Voltage VDD [DATA_NEEDED: VDD core voltage] —
Supply Voltage VDDQ [DATA_NEEDED: VDDQ I/O voltage] —
التنظيم [DATA_NEEDED: organization x32] x32
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -25C to +85C
Bank Architecture [DATA_NEEDED: bank group count] —
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Self-refresh and per-bank refresh per JEDEC LPDDR5X —
Termination On-Die Termination (ODT) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per JLCPCB listing)
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Max Data Rate — 7500 Mbps
Clock Frequency — 3750 MHz
Core Supply Voltage (VDD) — 1.05 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 900 mV (500 mV low-power mode)
VDD2 Supply Voltage — 1.8 V
الواجهة — LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension)
Application Segment — Mobile, Automotive, On-device AI, PC
Power Efficiency — ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر